Унифицированная карточка ресурса.

(Информационние карты диссертаций)

.
Дата материала:   28.08.2009
Название:   Физико-технологические основы повышения эффективности полупроводниковых источников света
Основное описание:   Цель диссертации: систематическая оптимизация параметров излучающих структур (гетероструктур и фотолюминофоров), а также элементов конструкции и технологии, повышение надежности и радиационной стойкости Получены следующие результаты, обладающие научной новизной: - комплексные исследования распределения заряженных центров, измерения вольт-люмен-амперных характеристик позволили установить структуру гетероперехода, наличие компенсированных слоев шириной 0,02-0,25 мкм, квантовых ям и барьеров и связать структуру со световыми и электрическими параметрами гетероструктур; - установлено, что вольт-амперные характеристики (ВАХ) гетероструктур с красным, желтым и синим цветом свечения хорошо согласуются с классическими диффузионными и дрейфовыми теориями двойной инжекции Холла, Рашба-Толпыго, Ламперта, Марка и других исследователей, а ВАХ зеленых гетероструктур I типа имеют особенности, связанные с несовершенством структуры активной области; - разработана математическая модель гетероперехода с одной или несколькими квантовыми ямами, которая позволила рассчитать люмен-амперные и люмен-вольтовые характеристики, использованные при анализе надежности и радиационной стойкости светодиодов (СД); - установлено, что у СД с красным цветом свечения в первые 300-1000 ч.наработки сила света необратимо растет (в 1,3-1,4 раза), а затем снижается по логарифмическому закону до 80-73% от первоначального значения за 100 000 ч непрерывной работы. У СД остальных цветов снижение не превышает 10-15%. Практическая значимость исследования заключается в разработке разных вариантов конструкции и технологии нескольких типов СД и светоизлучающих устройств с силой света 350 Кд в угле 50 градусов при рассеиваемой мощности 5 Вт. Разработанные конструкции позволяют рассеивать электрическую мощность 1-5 Вт при токе через кристалл площадью 1 кв. мм до 350 мА. Life time испытания показали, что минимальная прогнозируемая наработка красных СД составляет 100 000 часов при снижении силы света на 20-27%, а у зеленых и синих в 2-3 раза ниже. Испытания по воздействию нейтронов и гамма квантов на СД красным, зеленым, синим и белым цветом свечения показали их значительно более высокую радиационную стойкость по сравнению с СД первого поколения.
Шифр специальности:   05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника на квантовых эффектах
Авторы (ФИО):   Щербаков Валентин Николаевич
Степень соискателя:   канд. техн. наук
Год защиты:   2007
УДК:   621.382.037.37
ГРНТИ:   47.33.29 Дискретные полупроводниковые приборы
Информация о источнике:   Российская государственная библиотека, отдел диссертаций - http://www.rsl.ru/i
dex.php?doc=104

Приоритетные направления:   Индустрия наносистем и материалы;

Связанные материалы
Диссертация -> Организация
Место защиты Московский энергетический институт (технический университет)
  Rambler's Top100