Унифицированная карточка ресурса.

(Информационние карты диссертаций)

.
Дата материала:   28.01.2008
Название:   Развитие методов атомно-силовой микроскопии для контроля электрических и электрофизических параметров объектов микроэлектроники
Основное описание:   Впервые разработана методика и проведены исследования логических состояний ячеек памяти двух классов интегральных микросхем без удаления пассивирующих покрытий с сохранением работоспособности изделий. Предложена модель расчета концентрации легирующих примесей в полупроводниковых структурах, основанная на результатах высоко локальных измерений в методе сканирующей емкостной микроскопии. На серии тестовых структур с известными уровнями легирования доказана адекватность предложенной модели. Экспериментально обоснованы преимущества метода атомно-силовой микроскопии по сравнению с электронно-зондовой микроскопией при измерении статического электрического потенциала на функциональных областях дискретных полупроводниковых приборах и интегральных микросхем, включающих слои металлов, полупроводников и диэлектриков с пространственным разрешением в нано- и микро- диапазонах. Экспериментально установлено, что на зависимостях уровня выходного сигнала, регистрируемого атомно-силовой микроскопии при работе в электростатической моде, от расстояния в системе ?зонд-образец? имеются максимумы, появление которых связано с ограничением амплитуды прогиба балки кантилевера, а их положение определяется разностью потенциалов между зондом и поверхностью исследуемого образца. Экспериментально показано влияние толщины диэлектрического покрытия и расстояния в зазоре ?зонд-образец? на значения чувствительности и локальности в микроскопии электростатических сил на поверхности гетерогенных объектов.
Шифр специальности:   05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника на квантовых эффектах
Авторы (ФИО):   Коровкина Наталья Михайловна
Степень соискателя:   канд. техн. наук
Год защиты:   2006
ГРНТИ:   47.33.31 Интегральные микросхемы
Информация о источнике:   Российская государственная библиотека, отдел диссертаций - http://www.rsl.ru/i
dex.php?doc=104

Приоритетные направления:   Индустрия наносистем и материалы;

Связанные материалы
Диссертация -> Организация
Место защиты Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)
  Rambler's Top100