Унифицированная карточка ресурса.

(Информационние карты диссертаций)

.
Дата материала:   27.11.2007
Название:   Границы раздела в тонкопленочных структурах с сегнетоэлектрическими слоями
Основное описание:   Целью работы является комплексное исследование влияния границ раздела на характеристики многослойных структур на основе тонких поликристаллических пленок цирконата-титаната свинца (ЦТС) на различных этапах их формирования и эксплуатации, а также оценка возможности их применения в функциональной электронике. В результате проведенного исследования отработана технология формирования тонкопленочных конденсаторных структур на основе ЦТС различного состава. Проведено комплексное исследование влияния границ раздела на свойства сформированных тонкопленочных конденсаторных структур на основе пленок ЦТС. Показано, что оксид титана на поверхности нижних платиновых или иридиевых электродов выступает в качестве центров кристаллизации перовскитовой фазы пленок ЦТС, в результате чего снижается температура формирования перовскитовой фазы, растет размер кристаллитов, степень текстурированности пленок ЦТС, значения их относительной диэлектрической проницаемости и остаточной поляризованности. Экспериментально установлено, что процесс старения приводит к значительному увеличению концентрации кислорода в пленках ЦТС, который интенсифицируются в пленках ЦТС с избыточным содержанием оксида свинца. Экспериментально подтверждено, что уменьшение переключающегося заряда в пленках ЦТС под действием электрического поля в результате старения обусловлено сорбцией кислорода на гетерофазных границах кристаллитов и закреплением поляризации в областях, прилегающих к этим границам. Показано, что вольт-амперные характеристики в конденсаторных структурах описываются в рамках механизма токов, ограниченных пространственным зарядом, по межзеренному оксиду свинца с неравномерным распределением ловушек по энергиям. Фотопроводимость структур на основе тонких поликристаллических пленок ЦТС в видимом диапазоне оптического излучения обусловлена фотогенерацией носителей в гетерфазных границах раздела, содержащих оксид свинца. Величина и направление стационарного фототока в режиме короткого замыкания конденсаторной структуры определяются величиной и направлением остаточной поляризованности сегнетоэлектрической пленки. Предложен новый способ оптического считывания информации в тонкопленочной конденсаторной ячейке памяти на основе пленок ЦТС по направлению фототока в режиме короткого замыкания. Экспериментально доказано, что низкотемпературный вакуумный прогрев приводит к исчезновению эффекта самополяризации, что обусловлено десорбцией кислорода с межзеренной гетерофазной границы. Самополяризованная пленка ЦТС может быть получена путем последовательного нанесения слоев PbO и ЦТС с последующим их отжигом в кислородосодержащей атмосфере. Предложены технологические приемы, позволяющие повысить воспроизводимость параметров тонкопленочных конденсаторных структур, стабилизировать их характеристики во времени. Предложен новый метод получения самополяризованных пленок ЦТС.
Шифр специальности:   05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника на квантовых эффектах
Авторы (ФИО):   Афанасьев Петр Валентинович
Степень соискателя:   канд. техн. наук
Год защиты:   2006
ГРНТИ:   47.09.33 Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики
Информация о источнике:   Российская государственная библиотека, отдел диссертаций - http://www.rsl.ru/i
dex.php?doc=104

Приоритетные направления:   Индустрия наносистем и материалы;

Связанные материалы
Диссертация -> Организация
Место защиты Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)
  Rambler's Top100