Унифицированная карточка ресурса.

(Информационние карты диссертаций)

.
Дата материала:   27.11.2007
Название:   Оптимизация активных элементов датчиков, использующих эффект гигантского комбинационного рассеяния
Основное описание:   Предложена методика интенференционно-усиленного гигантского комбинационного рассеяния (ГКР). Проведена оптимизация конструкции активного элемента датчика, базирующаяся на создании трехслойной структуры: "зеркало-резонатор-ГКР-активный слой". Выявлена зависимость интенсивности ГКР-сигнала от толщины резонатора и массовой толщины ГКР-активного слоя. Установлено, что при оптимальном подборе толщин слоев (золота и диоксида кремния) усиление ГКР-сигнала в трехслойной структуре может достигать 11 раз при массовой толщине золота 5 нм и 44 раза при массовой толщине золота 15 нм по сравнению с аналогичной по морфологическим параметрам пленкой, нанесенной на поверхность SiO2. Разработана методика и оптимизированы технологические режимы формирования ГКР-активной структуры методом квазитемплатного синтеза, в которой роль зеркала играет поверхность алюминия, резонатора - слой пористого оксида алюминия, а функции ГКР-активного слоя выполняет пленка золота, наноструктурированного на поверхности пористого диэлектрического слоя. Установлены и экспериментально изучены зависимости оптических свойств и ГКР-активности структур, представляющих собой упорядоченные массивы наночастиц, от параметров системы в целом (расстояния между нанобъектами и типом решетки). Предложен принцип и впервые реализована методика картографии распределения электромагнитного поля на поверхности ГКР-активных структур в ближней оптической зоне наночастиц. Использование фоточувствительного самопроявляющегося полимера класса азобензенов обеспечивает визуализацию картины поля не только качественно, но и на количественном уровне. В результате проведенных исследований созданы несколько типов ГКР-активных структур и для каждой из них экспериментально подобраны параметры, обеспечивающие максимальный коэффициент усиления ГКР-сигнала
Шифр специальности:   05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
Авторы (ФИО):   Кощеев Сергей Владимирович
Степень соискателя:   канд. техн. наук
Год защиты:   2006
ГРНТИ:   47.33.29 Дискретные полупроводниковые приборы
Информация о источнике:   Российская государственная библиотека, отдел диссертаций - http://www.rsl.ru/i
dex.php?doc=104

Приоритетные направления:   Индустрия наносистем и материалы;

Связанные материалы
Диссертация -> Организация
Место защиты Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)
  Rambler's Top100