Унифицированная карточка ресурса.

(Информационние карты диссертаций)

.
Дата материала:   27.11.2007
Название:   Мощный полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al, Ga)N/GaN
Основное описание:   Целью работы является исследование электрофизических и приборных характеристик одинарных (Al,Ga)N/GaN и двойных (Al,Ga)N/GaN/(Al,Ga)N гетероструктур и разработка основных этапов технологии создания мощного полевого транзистора. В результате: 1. Разработана и внедрена конструкция двойной транзисторной гетероструктуры (Al,Ga)N/GaN/(Al,Ga)N. Установлена возможность уменьшения толщины канала GaN до значения 5 нм при сохранении подвижности на уровне 1000 см2/Bхc при концентрации 1,0-1,2 x 1013 см-2. Продемонстрировано снижение паразитных утечек по буферу гетероструктуры при использовании конструкции многослойного буфера с использованием сверхрешеток. Оценены параметры верхних слоев: мольная доля алюминия - x=0.33, концентрация примеси - 1.5x1018 см-3. 2. Установлены режимы формирования омических контактов к слаболегированным слоям (Al,Ga)N на основе системы металлизации Ti/Al/Ni/Au. Определено соотношение толщин слоев металлов. Экспериментально установлены температурные и временные режимы температурной обработки омических контактов для достижения наилучшего соотношения низкого омического сопротивления и шероховатости поверхности контакта после вжигания. 3. Установлен факт исчезновения гистерезиса ветвей статической ВАХ планарного полевого транзистора после нанесения защитного покрытия на основе диэлектрической пленки Si3N4. 4. Разработана и внедрена технология создания мощного полевого транзистора на основе двойной гетероструктуры (Al,Ga)N/GaN с параметрами: плотность тока 1 A/мм, пробивное напряжение 80 B, крутизна характеристики 200мС/мм. 5. Разработана и внедрена технология создания тестового модуля, позволяющего оперативно определить основные приборные характеристики и электрофизические параметры нитридных транзисторных гетероструктур с сохранением большей полезной площади поверхности образца. 6. Разработана и внедрена конструкция технологической установки взрывного вжигания слоев металлизации. Также модернизированы установки плазмохимического травления нитридных слоев в плазме CCl4 и плазмохимического осаждения диэлектриков Si3N4.
Шифр специальности:   01.04.10 Физика полупроводников,
05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника на квантовых эффектах
Авторы (ФИО):   Александров Сергей Борисович
Степень соискателя:   канд. техн. наук
Год защиты:   2006
ГРНТИ:   47.09.29 Полупроводниковые материалы
Информация о источнике:   Российская государственная библиотека, отдел диссертаций - http://www.rsl.ru/i
dex.php?doc=104

Приоритетные направления:   Индустрия наносистем и материалы;

Связанные материалы
Диссертация -> Организация
Место защиты Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)
  Rambler's Top100