Раздел:   Главная страница Публикации Перспективные вооружения, военная и специальная техника

Перспективные вооружения, военная и специальная техника

Поиск
Тип
Заголовок
Описание
  Отключить морфологический поиск

Уточните параметры поиска (Отобразить расширенные параметры поиска.)
 
Сортировать по:  

Найдено записей: 39

01.10.2007  Композиционные материалы с матрицей из алюминиевых сплавов, упрочненных частицами, для пар трения скольжения.
Рассмотрены способы изготовления, структура и трибологические свойства алюмоматричных дисперсно-наполненных композиционных материалов (КМ), обладающих такими потенциальными преимуществами, как высокая износостойкость, низкая удельная масса и стоимость. Показано, что подшипники, изготовленные из КМ, обладают более низкими коэффициентами трения и более высокой износостойкостью по сравнению с неупрочненными сплавами алюминия и бронзой. Приведены результаты практических применений КМ в узлах трения скольжения. ПКТ24.

01.04.2007  Керамические композиты на основе Тi sub 3 SiС sub 2 для издулий сложной формы.
Исследована микроструктура, прочностные свойства и устойчивость к окислению на воздухе керамических композитов системы Тi sub 3 SiС sub 2 - ТiSi sub 2 - SiС, полученных методом одноосевого горячего прессования. Показано, что добавка ТiSi sub 2 способствует удалению из материала примеси ТiС и приводит к формированию более плотной микроструктуры за счет реализации жидкофазного спекания, тогда как зерна СиЦ препятствуют пластической деформации Тi sub 3 SiС sub 2 и полного уплотнения материалов при введении SiС не достигается. Характеристики композитов позволяют прогнозировать перспективность их использования в качестве конструкционных материалов, в том числе высокотемпературного назначения, и для изготовления изделий сложной формы. ПКТ 24.

01.04.2007  Современная оксидная керамика и области ее применения.
Приведены результаты исследований по получению современных керамических материалов с высокими эксплуатационными свойствами. Рассмотрены технологические особенности создания высокоплотной износостойкой керамики на основе частично стабилизированного дилоксида циркония, оскида алюминия, смеси этих оксидов, плотных и пористых материалов из оксида алюминия, циркония, карбида кремния, биоактивной керамики на основе гидроксиапатита и прикальцийфосфата. Показаны перспективы применения новых керамических материалов для решения современных научных и технических задач. ПКТ 24.

01.07.2006  Всероссийская форум-выставка ?Госзаказ-2006?
Форум-выставка проходила в период, когда произошли существенные изменения в федеральном законодательстве по вопросам размещения государственных заказов в связи с вступлением в действие с 1 января 2006 г. Федерального закона N ФЗ-94 от 21 июля 2005 г. ?О размещении заказов на поставки товаров, выполнение работ, оказание услуг для государственных и муниципальных нужд? Эти обстоятельства определили важность и значительный интерес к работе форума-выставки, участие в которой приняли руководители федеральных органов исполнительной власти, администраций субъектов Федерации, и представителей организаций и предприятий, непосредственно осуществляющие работу по организации государственных закупок, а также контроль за размещением госзаказа.

01.04.2006  Высокочастотная ускоряющая система СUSТОМS циклотрона.
Представлены результаты расчетов параметров высокочастотной ускоряющей системы СUSТОМS циклотрона, предназначенного для обнаружения взрывчатых веществ на базе гамма-резонансного метода. В результате проведения аналитических расчетов была выбрана конструкция высокочастотного резонатора, результаты трехмерного численного расчета полностью подтвердили правильность аналитических оценок, в частности, по частоте различие в результате аналитического и численного расчетов не превысило 5 %. Полученные карты компонент электрического поля применяются в расчетах динамики пучка в циклотроне.

01.09.2005  Перспективная элементная база КМОП ИС.
Рассмотрены основные ограничения для процесса дальнейшей миниатюризации КМОП-транзисторов, которые ведут к необходимости поиска новаторских решений в технологии. Проведен анализ способов, позволяющих обойти эти ограничения, используя традиционные кремниевые технологии (подложки КНИ, двух- и трехзатворные транзисторы, транзистр с кольцевым затвором) и новые материалы (углерод, алмаз). С помощью приборно-технологического моделирования исследован механизм переноса носителей в двухзатворном МОП-транзисторе, позволяющий использовать его баллистические свойства для создания перспективной элементной базы.

01.09.2005  Выбор материалов и технологий для пленочных термоэлектрических преобразователей.
Представлена расширенная номенклатура комплексных критериев для выбора, разработки и совершенствования материалов термоэлектрических преобразователей в связи с их назначением и условиями применения. В результате использования представленных критериев достигнута большая согласованность между практическими потребностями науки и техники, требующими удовлетворения, и физико-химическими возможностями материалов в реализации этих потребностей.

01.09.2005  Разработка и исследование источников питания для термоэлектрических систем.
Определены основные критерии построения источников питания для термоэлектрических систем (ТЭС) с высокой хладопроизводительностью и представлены новые разработки таких источников.

01.09.2005  Конструкция и способ изготовления планарного нанотранзистора с окружным затвором.
Предложены конструкция и способ изготовления самосовмещенного планарного нанотранзистора с окружным затвором, который реализуется на подложках типа кремний на изоляторе (КНИ). В качестве основного принципа совмещения используется ионное легирование фтором скрытого окисла через рабочий слой кремния под затворными областями.

01.09.2005  Разработка макета имплантера для имплантации протонов в полупроводниковые пластины в целях создания многослойных структур.
Представлены результаты исследований и разработки макета имплантера для имплантации протонов в полупроводниковые пластины с целью производства структур кремний на изоляторе (КНИ) и других многослойных структур в рамках smаrt-сut-технологии сращивания стандартных пластин кремния и других полупроводников. Получено равномерное облучение пластин кремния на площади в виде эллипса с осями 60 и 40 мм.

01.07.2005  Автокорректирующиеся системы в аналого-цифровых преобразователях при проектировании специализированных вычислительных устройств.
Рассмотрены вопросы построения узлов устройств ввода (УВ) аналоговых сигналов в специализированных вычислительных устройствах (СВУ), связанные со снижением влияния ошибок входных сигналов на параметры выходных сигналов СВУ. Систематизированы источники погрешностей и методы автоматической коррекции погрешностей в УВ. Предложена совокупность методов коррекции нулевого уровня аналого-цифровых преобразователей, обеспечивающих существенное снижение величин ошибок и температурную стабильность.

01.03.2005  Использование метода дозированного выпаривания для создания замкнутого малоотходного цикла водопотребления в гальваническом производстве.
Представлены технологический процесс и оборудование для утилизации нейтральных и щелочных растворов промывных вод гальванических производств методом дозированного выпаривания в целях создания замкнутого малоотходного цикла водопотребления. Приведены схема процесса и технические характеристики оборудования.

01.03.2005  Перспективы создания экологически чистого источника электроэнергии.
Показано, что использование в генераторе перспективных схем коммутации магнитного потока, современных систем переключения потоков теплоносителей и новых источников тепловой энергии на основе импульсных ядерных реакторов для циклического перевода материала магнитных шунтов в парамагнитное состояние способствует решению задачи создания мобильных генераторов прямого преобразования тепловой энергии в электрическую, обладающих сравнительно высокими эффективностью и ресурсом.

01.03.2005  Особенности герметизации микромеханических приборов.
Рассмотрены основные особенности герметизации микроэлектромеханических систем (МЭМС) и основные типы герметизации. Проведен анализ основных проблем, возникающих при использовании различных материалов корпусов и соединительных материалов, а также причин снижения надежности изделий МЭМС. Рассмотрены особенности применения геттеров в технологии МЭМС.

01.12.2004  Применение микроэлектромеханических инерциальных датчиков для вычисления углов ориентации подвижных объектов относительно горизонта.
Рассмотрены методы вычисления углов ориентации статических и подвижных объектов с помощью микроэлектромеханических инерциальных датчиков. Даны основные зависимости для реализации описанных методов на ЭВМ.

01.12.2004  Чувствительность трехколлекторного биполярного магнитотранзистора.
С помощью приборно-технологического моделирования исследован латеральный биполярный магнитотранзистор (БМТ), сформированный в кармане при внешнем соединении подложки с карманом. Показано, что в оптимизированной структуре БМТ происходят формирование потоков носителей заряда и их объемная рекомбинация, которые изменяются при воздействии магнитного поля. Возникновение концентрационно-рекомбинационной чувствительности БМТ дает обоснование механизму возникновения двух знаков относительной магниточувствительности по току. Выбор параметров структуры и режима работы БМТ в соответствии с установленным механизмом чувствительности позволяет повысить относительную чувствительность по току до 30 Т suр -1 .

01.12.2004  Автоматизированные методы создания прецизионных источников опорного напряжения.
Рассмотрена схема прецизионного источника опорного напряжения, использующего резисторы с различными температурными коэффициентами. Предложены программы по расчету и подстройке источника опорного напряжения, а также программа автоматического определения размеров топологии до начала ее проектирования. Приведены результаты исследования прецизионного источника опорного напряжения, выполненного по полуторамикронной биполярной технологии.

01.12.2004  Температурный отжиг в технологии изготовления структур на основе нитридов алюминия и галлия.
Приведены результаты исследований влияния температуры, времени, атмосферы отжига на кинетику изменения структурных свойств пленок АIN и GаN, выращенных на подложках (0001) Аl sub 2 О sub 3 и (1 012) Аl sub 2 О sub 3 .

01.12.2004  Разработка источников ионов водорода для имплантации протонов в полупроводниковые пластины в целях создания многослойных структур.
Продолжена разработка нового модифицированного импульсного источника ионов водорода для проведения работ в области радиационной физики и имплантации протонов в пластины большого диаметра в smаrt-сut технологии сращивания стандартных пластин кремния и других полупроводников с целью производства структур кремний на изоляторе и других многослойных структур.

01.12.2004  Новые способы изготовления многожильных пружин.
Приведены способы изготовления качественных многожильных пружин, представлены также схема устройства для их изготовления, конструкция шпули и катушки для проволоки.


1 2   Следующая     ...